文章導讀：

據(jù)（Nanowerk News）報道，高等經(jīng)濟學院和聯(lián)邦科學研究中心“晶體學和光子學”的科學家們合成了多層納米線，通過研究它們的磁阻性，發(fā)現(xiàn)改善磁阻特性將大幅度提高各種測量儀器的準確性，例如羅盤和輻射監(jiān)測器

（晶體學報告，“基質(zhì)合成獲得的Cu / Ni納米線結構”）

      薄金屬層中的巨磁阻效應是人造納米結構的獨特特征之一。各種電子設備中都有使用這種效應。

      科學家合成了多層銅和鎳納米線，并加以研究它們的特性，研究表明，納米線性能與其組成成分和幾何形狀有關，多層納米線可大大增加巨磁阻效應。Ilia Doludenko是莫斯科電子和數(shù)學研究所（MIEM HSE）畢業(yè)生，也是這篇文章的作者之一，他說：“目前，我們正在'選擇'合成這種納米線的方法。”

      為了確定合成參數(shù)與晶體結構之間的相關性，研究員們合成了不同長度的納米線。納米線長度由沉積循環(huán)次數(shù)決定; 在每個循環(huán)中沉積一個層鎳和一個銅層。 用掃描電子顯微鏡（SEM）可以測定納米線的尺寸。 通過電沉積循環(huán)的次數(shù)發(fā)現(xiàn)，納米線的層對數(shù)量為10,20或50。

      將納米線的長度與層數(shù)進行比較，發(fā)現(xiàn)納米線長度與層數(shù)之間呈非線性關系。10,20和50對層組納米線的平均長度分別為1.54μm，2.6μm和4.75μm。

      合成的納米線都是晶粒結構，而且尺寸大小不同，其范圍為5nm- 100nm。 納米線產(chǎn)生大而明亮的反射主要是因為金屬（Ni和Cu），而漫反射和小反射通常與銅氧化物有關。

      元素分析證實了研究中所有納米線中存在交替的Ni和Cu層。 但是，層的相互排列可能不同。 相同納米線中的Ni和Cu層可能與軸垂直或者跟軸成一定角度，相同納米線的各層厚度也可能不同，且層厚度在50-400nm內(nèi)。

      研究作者認為，這種異質(zhì)性取決于空隙的參數(shù)和空隙的距離。空隙導致電流和沉積速率增加，從而導致沉積層厚度增加。 另一個可能的原因是不同金屬離子的擴散遷移率不同。從而導致納米線長度與層數(shù)之間呈非線性關系。

      對特定層的成分進行分析，結果表明，銅層主要由銅組成，幾乎不存在鎳。 而鎳層卻始終是含有一定量的銅，且含量可高達20％。

      這些相關性能發(fā)現(xiàn)有助于產(chǎn)生出檢測結果更精確、檢測成本更低的運動、速度、位置、電流以及其他參數(shù)的檢測器。 這些儀器可用于汽車、醫(yī)療設備、輻射監(jiān)測器以及電子羅盤的生產(chǎn)和改進。